突发延期！三星10纳米级1c内存制程推延半年：HBM4远景添变数

  三星电子的第六代10纳米级1c DRAM制程开发进度呈现推延，估计完结时刻从2024年年末推延至2025年6月。

  这一延期意味着原计划于2025年下半年量产的第六代高频宽存储器（HBM4）也面对不确定性。

  三星在2024年年末向商场交付了首个测验芯片，但后续出产良率未达预期，导致开发时刻延伸，据商场的人悄悄表明，三星计划在未来六个月内将良率提升至约70%。

  依照过往经历，每一代制程的开发周期一般为18个月左右，但是，自2022年12月三星开宣告第五代10纳米级1b DRAM制程并宣告量产以来，关于1c DRAM的发展一向未有清晰音讯。

  此次1c DRAM制程的推延不只影响了其中心产品DDR5内存的量产时刻，也涉及了高频宽存储器（HBM）的开发。

  假如1c DRAM的量产推延至2025年末，HBM的量产时刻或许会在2025年之后，这与三星此前计划在2025年下半年量产HBM4的方针相悖，从而影响三星在HBM商场的竞争力。

  韩国半导体工业的人说，三星正在修正1c DRAM制程技能的部分规划，以赶快达到量产方针，但是能否在预订时刻内完成量产，仍存在不确定性。